Indio gallio zinco ossido
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Indium gallium zinc oxide (IGZO) è un materiale semiconduttivo, costituito da indio (In), gallio (Ga), zinco (Zn) e ossigeno (O). Il TFT, in tecnologia IGZN, è usato nel backplane degli schermi piatti (FPD). L'IGZO-TFT è stato sviluppato dal gruppo di Hideo Hosono presso il Tokyo Institute of Technology con la collaborazione della Japan Science and Technology Agency (JST) nel 2003 (crystalline IGZO-TFT)[1][2] e nel 2004 (amorphous IGZO-TFT).[3] Nell'IGZO-TFT, l'elettrone ha una mobilità superiore, rispetto al silicio amorfo (usato molto comunemente negli LCD e gli e-papers), che può variare dalle 20-50 volte. Come risultato, l'IGZO-TFT può migliorare la velocità, la risoluzione e la dimensione degli schermi piatti. È considerato come uno dei TFT più promettenti per poter essere usato nei pannelli OLED.
IGZO-TFT e le sue applicazioni sono di proprietà di JST.[4] Sono stati conferiti in licenza a Samsung Electronics (nel 2011) e Sharp[5] (nel 2012).
Note
[modifica | modifica wikitesto]- ^ Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor, vol. 300, DOI:10.1126/science.1083212, PMID 12764192.
- ^ To whom interested in Research & Development and/or Business Development of IGZO-based Oxide Semiconductor TFT, su jst.go.jp.
- ^ (EN) Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors, vol. 432, DOI:10.1038/nature03090, PMID 15565150.
- ^ JST Signs Patent License Agreement with Samsung for High Performance Thin Film Transistor Technology -Major Entry of Japanese Basic Research Results into Global Display Industry-, su jst.go.jp.
- ^ (JA) シャープとJSTが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結 [Sharp e JST firmano un accordo di licenza per i semiconduttori a ossido], su Sharp Corporation, 29 maggio 2012. URL consultato il 23 agosto 2024 (archiviato il 13 luglio 2018).