La Magnetoresistenza colossale o in sigla CMR (Colossal magnetoresistance) è la proprietà di alcuni materiali, per lo più basati sul manganese e ossidi di Perovskiti che gli consente di cambiare radicalmente la loro resistenza elettrica in presenza di un campo magnetico. La magnetoresistenza di materiali convenzionali consente un cambio di resistenza fino al 5%, invece i materiali con CMR possono dimostrare cambiamenti di resistenza per diversi ordini di grandezza[1][2].
Questa tecnologia trova applicazione nei dischi fissi con grosse quantità dati (da 8TB in su)[3][4].
Note
[modifica | modifica wikitesto]- ^ A. P. Ramirez, Colossal magnetoresistance, in Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 9, n. 39, 1997, pp. 8171–8199, Bibcode:1997JPCM....9.8171R, DOI:10.1088/0953-8984/9/39/005.
- ^ L. Rodriguez-Martinez e J.P. Attfield, Cation disorder and size effects in magnetoresistive manganese oxide perovskites, in Physical Review B, vol. 54, n. 22, 1996, pp. R15622–R15625, Bibcode:1996PhRvB..5415622R, DOI:10.1103/PhysRevB.54.R15622, PMID 9985717.
- ^ Chemists exploring new material with 'next generation' computer hard drive possibilities, in The University of Aberdeen News, 27 gennaio 2014.
- ^ Elbio Dagotto, Brief Introduction to Giant Magnetoresistance (GMR), in Nanoscale Phase Separation and Colossal Magnetoresistance: The Physics of Manganites and Related Compounds, Springer Series in Solid-State Sciences, vol. 136, Springer Science & Business Media, 14 marzo 2013, pp. 395–396, DOI:10.1007/978-3-662-05244-0_21, ISBN 978-3-662-05244-0.